iRF 510

MOSFET POWER TRANSISTOR
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Manufactured by Harris Semiconductors Diproduksi oleh Harris Semikonduktor
Available at most Radio Shacks Tersedia di gubuk paling Radio
Cost: $$ at Radio Shack (Cat. No. 276-2072) Biaya: $ $ di Radio Shack (Cat. No 276-2072)

DESCRIPTION DESCRIPTION
The IRF510, IRF511, IRF512 and IRF513 are n-channel enhancement-mode silicon-gate power field-effect transistors. The IRF510, IRF511, IRF512 dan IRF513 adalah peningkatan saluran-n-mode daya silikon-gerbang transistor efek medan. These power MOSFET's are designed for applications such as switching regulators, motor drivers, relay drivers, and drivers for high-power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate-drive power. Kekuasaan ini MOSFET yang dirancang untuk aplikasi seperti switching regulator, motor driver, relay driver, dan driver untuk daya tinggi switching transistor bipolar yang memerlukan kecepatan tinggi dan rendah-drive gerbang kekuasaan. These types can be driven directly from integrated circuits. Jenis ini dapat digerakkan secara langsung dari sirkuit terpadu.

MAXIMUM RATINGS IRF510 IRF511 IRF512 MAKSIMUM RATINGS IRF510 IRF511 IRF512
-------------------------------------------------------------------- -------------------------------------------------- ------------------
Vds Drain-source voltage 100v 80v 100v Drain-source VDS 100V tegangan 80v 100V
Vdgr Drain-gate voltage 100v 80v 100v Rgs=20K Tiriskan-gerbang Vdgr tegangan 100V 80v 100V RGS = 20K
Vgs Gate-source voltage +/-20v +/-20v +/-20v Vgs Gerbang-sumber tegangan + /-20V + /-20V + /-20V
Id Continuous drain current 5.6A 5.6A 4.9A Id terus-menerus mengalirkan arus 5.6A 5.6A 4.9A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (All types unless otherwise stated) KARAKTERISTIK LISTRIK (Semua jenis kecuali dinyatakan lain)
-------------------------------------------------------------------- -------------------------------------------------- ------------------
Igss Gate-source leakage 500nA (forward) -500nA (reverse) Igss Gerbang-sumber kebocoran 500nA (maju)-500nA (reverse)
Idss Drain current, Vg=0v 250uA Tiriskan Idss arus, Vg = 0V 250nA
Id-on On state drain current 5.6A IFR510, IFR511 4.9A IFR512, IFR513 Id-di negara Pada saat menguras 5.6A IFR510, IFR511 4.9A IFR512, IFR513
Rds-on Drain-source "on" Res. 0.4-0.54 ohms (device ON resistance) Rds-on Drain-source "pada" Res. 0,4-0,54 ohm (ON perangkat perlawanan)
Cis Input capacitance 135pF (at Vds=12v, Cis=180pF) Input cis kapasitansi 135pF (di VDS = 12v, Cis = 180pF)
Cos Output capacitance 80pF (at Vds=12v, Cos=130pF) Output cos kapasitansi 80pF (di VDS = 12v, Cos = 130pF)
Td-on Turn-on delay time 8-11nS ) These parameters define Td-on Turn-pada waktu tunda 8-11nS) Parameter ini menentukan
Tr Rise time 25-36nS ) how fast the MOSFET turns Tr Rise waktu 25-36nS) seberapa cepat MOSFET berubah
Td-off Turn-off delay time 15-21nS ) on and off when gate is Td-off Turn-off waktu tunda 15-21nS) on dan off ketika gerbang adalah
Tf Fall time 12-21nS ) driven with a square wave Fall tf waktu 12-21nS) digerakkan dengan gelombang persegi
Vsd Diode forward voltage 2.5v VSD Diode maju tegangan 2.5V
(dropped across the source-drain due to the internal diode) (menjatuhkan seluruh sumber-drain karena dioda internal)

SOME DATA FROM THE PERFORMANCE CURVES DATA DARI BEBERAPA KURVA KINERJA
Output drain current (Id) vs. gate-source voltage (Vgs) at Vd=+12v Mengalirkan arus keluaran (Id) vs gerbang-sumber tegangan (Vgs) di Vd = 12 v
Vgs=4v Id= 0.0A Vgs = 4v Id = 0.0A
Vgs=5v Id= 1.0A Vgs = 5v Id = 1.0A
Vgs=6v Id= 2.8A Vgs = 6V Id = 2.8a
Vgs=7v Id= 4.8A Vgs = 7V Id = 4.8A
Vgs=8v Id= 6.8A Vgs = 8V Id = 6.8A

NOTE: CATATAN:
Therefore, for a 5W QRP power amplifier, the gate-source voltage should not exceed 5-6v; otherwise excessive current will attempt to flow. Oleh karena itu, untuk 5W QRP power amplifier, gerbang-sumber tegangan tidak boleh melebihi 5-6V; jika tidak, arus yang berlebihan akan mencoba mengalir. A continuous applied Vgs >7.5v will cause Id to exceed the maximum drain current rating of 5.6A (IRF510). Yang berkelanjutan diterapkan Vgs> 7.5v akan menyebabkan Id melebihi drain maksimum nilai sekarang dari 5.6A (IRF510). This will cause "catastrophic substrate failure". Hal ini akan menyebabkan "substrat bencana kegagalan".

What is the maximum frequency? Apa frekuensi maksimum? Max. Max. frequency is not specified, but since Tr= 36nS (rise time) and Tf = 21nS (fall time), a total device delay of 57nS occurs, worse case. f=1/t = 1/57nS = 17.5 MHz. frekuensi tidak ditentukan, tetapi karena Tr = 36nS (naik waktu itu) dan Tf = 21nS (jatuh waktu), perangkat total keterlambatan 57nS terjadi, kasus yang lebih buruk. f = 1 / t = 1/57nS = 17,5 MHz. Total "typical" device delay is 25+12ns= 37nS for f= 27 MHz. Total "khas" penundaan perangkat adalah 25 12 ns = 37nS untuk f = 27 MHz. This does not take into account L/C loading of the output filter, etc., which will lower the maximum frequency which the MOSFET will toggle on and off. Ini tidak memperhitungkan L / C pemuatan output filter, dll, yang akan menurunkan frekuensi maksimum yang akan beralih MOSFET dan mematikan.